富士通于13日宣布研發(fā)出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM，此款存儲器能在攝氏零下55度中運行，現(xiàn)已量產(chǎn)供貨......

日本科技大廠富士通（Fujitsu）于13日宣布，研發(fā)出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款存儲器能在攝氏零下55度中運行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發(fā)性存儲器，現(xiàn)已量產(chǎn)供貨。

富士通指出，F(xiàn)RAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存資料的存儲器，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。而且FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點，富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。

值得一提的是，F(xiàn)RAM產(chǎn)品保證10萬億次的讀/寫周期，大約是競爭對手的非揮發(fā)性存儲器EEPROM的1千萬倍。因此，許多需要頻繁覆寫資料的工業(yè)應用，例如即時資料記錄與3D位置資料記錄等，都采用FRAM的產(chǎn)品。

富士通進一步表示，新款的FRAM支援范圍極廣的電源電壓，從1.8伏特至3.6伏特，并支援更低的運作溫度，最低可達攝氏零下55度，超越競爭對手存儲器的最低運作溫度。由于，能在運作溫度范圍內(nèi)保證10萬億次讀/寫周期，故適合用于像在極寒地區(qū)挖掘天然氣與石油的設備或機具等的工業(yè)機具上，包括測量設備、流量計、及機器人等的一般工業(yè)應用。

FRAM產(chǎn)品已推出業(yè)界標準的8-Pin SOP封裝，使其能取代8-Pin SOP封裝的EEPROM。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的8-Pin SON封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%，而貼裝體積更僅為SOP的13%，更適合應用于輕量化的現(xiàn)代工具設備上。

富士通表示，2017年富士通發(fā)表能在攝氏125度環(huán)境中運作的FRAM產(chǎn)品，擴展運行溫度的高溫極限。此次，再開發(fā)出的零下55度產(chǎn)品，進一步擴展運行溫度的低溫極限。