12月21日三星電子宣布，公司已成功開發(fā)出首款采用12納米級工藝技術(shù)打造的16?Gb?DDR5?DRAM。目前，三星電子已經(jīng)與AMD完成了針對該新品的兼容性產(chǎn)品評估。

據(jù)三星電子方面透露，新款DRAM將成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。AMD方面則表示，AMD與三星電子的再度合作，主要圍繞在Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品展開。

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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 圖片來源：三星電子

三星電子12納米級DDR5 DRAM的技術(shù)突破，通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。結(jié)合先進的多層極紫外光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。

在傳輸速度上，三星12nm級DRAM基于DDR5最新標(biāo)準(zhǔn)，擁有7.2千兆每秒（Gbps）的傳輸速度，一秒內(nèi)可處理兩部30GB超高清電影。

功耗方面，與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。 三星電子透露，新款DRAM將于2023年量產(chǎn)，同時公司還計劃將新DRAM產(chǎn)品擴展到更廣泛的市場領(lǐng)域。

更多DDR5內(nèi)存將在2023年量產(chǎn)

得益于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器CPU的更新?lián)Q代，服務(wù)器終端對DDR5內(nèi)存的需求持續(xù)提升。近年來，芯片大廠也在持續(xù)更新自己DDR5產(chǎn)品的量產(chǎn)進度。

比如，2021年10月，英特爾發(fā)布的12 代酷睿 Alder Lake 桌面處理器支持搭載DDR5內(nèi)存；目前，三星電子與AMD正在研發(fā)單條容量為512GB/1TB的DDR5內(nèi)存條，此次的16GB DDR5是三星電子的首款DDR5產(chǎn)品；SK海力士是全球首家正式發(fā)布DDR5產(chǎn)品的廠商，該公司在2022年第二季度的財報中表示，將在未來幾個月內(nèi)開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒，此外還計劃自2023年年初開始，將1α納米級工藝導(dǎo)入DDR5 DRAM中。

根據(jù)各大廠的規(guī)劃，2023年我們將能看到更多量產(chǎn)的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品上市。

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文章來源于國際電子商情網(wǎng)